воротынцев в скупов в базовые технологии микро и наноэлектроники
Воротынцев В., Скупов В. Базовые технологии микро- и наноэлектроники
Учебное пособие разработано в соответствии с государственным образовательным стандартом высшего профессионального образования по направлению подготовки дипломированных специалистов 11.04.04 "Электроника и наноэлектроника". Впервые технологии микро- и наноэлектроники рассмотрены неразрывно с технологиями высокочистых веществ и материалов в основополагающем ключе "высокая чистота материала - высокое качество продукции". Рассмотрены основные процессы получения высокочистых веществ и материалов на их основе, процессы и технологии получения эпитаксиальных структур кремния, арсенида галлия и др., технологии их обработки при переходе к компонентам электронной техники. Пособие может быть использовано студентами всех форм обучения, в том числе и по смежным специальностям, как для самостоятельной работы, так и выполнения курсовых проектов, а также в качестве конспекта лекций по курсу "Технология материалов электронной техники". Содержит перечень контрольных вопросов для оценки усвоения студентами материала. .
919 Р.
Воротынцев В., Скупов В. Базовые технологии микро- и наноэлектроники
Учебное пособие разработано в соответствии с государственным образовательным стандартом высшего профессионального образования по направлению подготовки дипломированных специалистов 11.04.04 "Электроника и наноэлектроника". Впервые технологии микро- и наноэлектроники рассмотрены неразрывно с технологиями высокочистых веществ и материалов в основополагающем ключе "высокая чистота материала - высокое качество продукции". Рассмотрены основные процессы получения высокочистых веществ и материалов на их основе, процессы и технологии получения эпитаксиальных структур кремния, арсенида галлия и др., технологии их обработки при переходе к компонентам электронной техники. Пособие может быть использовано студентами всех форм обучения, в том числе и по смежным специальностям, как для самостоятельной работы, так и выполнения курсовых проектов, а также в качестве конспекта лекций по курсу "Технология материалов электронной техники". Содержит перечень контрольных вопросов для оценки усвоения студентами материала. .
919 Р.
Воротынцев Владимир Михайлович, Скупов Владимир Дмитриевич Базовые технологии микро- и наноэлектроники. Учебное пособие
Учебное пособие разработано в соответствии с государственным образовательным стандартом высшего профессионального образования по направлению подготовки дипломированных специалистов 11.04.04 "Электроника и наноэлектроника". Впервые технологии микро- и наноэлектроники рассмотрены неразрывно с технологиями высокочистых веществ и материалов в основополагающем ключе "высокая чистота материала - высокое качество продукции". Рассмотрены основные процессы получения высокочистых веществ и материалов на их основе, процессы и технологии получения эпитаксиальных структур кремния, арсенида галлия и др., технологии их обработки при переходе к компонентам электронной техники. Пособие может быть использовано студентами всех форм обучения, в том числе и по смежным специальностям, как для самостоятельной работы, так и выполнения курсовых проектов, а также в качестве конспекта лекций по курсу "Технология материалов электронной техники". Содержит перечень контрольных вопросов для оценки усвоения студентами материала.
1773 Р.
Зебрев Геннадий Иванович Физические основы кремниевой наноэлектроники. Учебное пособие для вузов
Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм. Для преподавателей и студентов, специализирующихся по направлениям микро- и наноэлектроники, электроники, электронных измерительных систем. Может быть использована в учебном процессе при подготовке учебных курсов "Физические основы наноэлектроники", "Наноэлектронные технологии", "Физика микроэлектронных структур".
448 Р.
Гаврилов Сергей Александрович, Белов Алексей Николаевич Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники
Изложены основы электрохимических процессов, применяемых в технологии микро- и наноструктур, которые интенсивно развиваются в последнее время. Учебное пособие содержит краткие сведения о законах и положениях теории электродного равновесия и электрохимической кинетики, описание механизмов формирования твердотельных микро- и наноструктур, сведения об особенностях получения и применения пористого кремния, описание электрохимических процессов в технологии МЭМС, процессов формирования барьерных и пористых анодных оксидов и их применения в микро- и нанотехнологии, процессов анодного окисления с помощью сканирующего зондового микроскопа, катодного осаждения металлов и полупроводников, их применения в технологии УБИС, МЭМС и нанотехнологии. Для студентов, обучающихся по специальностям 210100 "Электроника и микроэлектроника", 010803 (014100) "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы, 210100 (550700) "Электроника и микроэлектроника (бакалавр)", а также для аспирантов, научных работников и инженеров.
268 Р.
Патрушева Т. Сенсорика. Современные технологии микро- и наноэлектроники. Учебное пособие
В учебном пособии раскрывается технологический аспект сенсорики и приводятся сведения о большом многообразии сенсоров. Отмечается важность нанотехнологического подхода к изготовлению сенсоров. Представлена информация о материалах химических сенсоров, их свойствах и принципах конструирования. Особо выделен технологический акцент получения сложнооксидных сенсоров, которые работают на различных принципах. Приведены примеры приборов, выпускаемых в настоящее время в промышленном масштабе. Описаны некоторые технологии изготовления эффективных наноразмерных сенсорных материалов, в том числе авторский метод приготовления оксидных (резистивных, пьезоэлектрических, магнитных) сенсорных материалов. Приведены данные, полученные автором по технологии изготовления сенсорных материалов. .Предназначено для студентов и аспирантов, изучающих курс «Современные технологии микро- и наноэлектроники», а также инженеров, специалистов и ученых, работающих в области технологии сенсоров.
2270 Р.
Патрушева Т. Сенсорика. Современные технологии микро- и наноэлектроники. Учебное пособие
В учебном пособии раскрывается технологический аспект сенсорики и приводятся сведения о большом многообразии сенсоров. Отмечается важность нанотехнологического подхода к изготовлению сенсоров. Представлена информация о материалах химических сенсоров, их свойствах и принципах конструирования. Особо выделен технологический акцент получения сложнооксидных сенсоров, которые работают на различных принципах. Приведены примеры приборов, выпускаемых в настоящее время в промышленном масштабе. Описаны некоторые технологии изготовления эффективных наноразмерных сенсорных материалов, в том числе авторский метод приготовления оксидных (резистивных, пьезоэлектрических, магнитных) сенсорных материалов. Приведены данные, полученные автором по технологии изготовления сенсорных материалов. .Предназначено для студентов и аспирантов, изучающих курс «Современные технологии микро- и наноэлектроники», а также инженеров, специалистов и ученых, работающих в области технологии сенсоров.
2270 Р.
Никифоров И.К. Электронная аппаратура. Основные материалы и технологии микро- и наноэлектроники
Рассматриваются материалы и технологии, наиболее широко применяемые в микро- и наноэлектронике, изготовлении микросхем, микромодулей и блоков электронной аппаратуры. Для студентов электротехнических и радиотехнических специальностей и специалистов, занимающихся разработкой радиоэлектронной и силовой электронной аппаратуры.
2309 Р.
Никифоров И.К. Электронная аппаратура. Основные материалы и технологии микро- и наноэлектроники
Рассматриваются материалы и технологии, наиболее широко применяемые в микро- и наноэлектронике, изготовлении микросхем, микромодулей и блоков электронной аппаратуры. Для студентов электротехнических и радиотехнических специальностей и специалистов, занимающихся разработкой радиоэлектронной и силовой электронной аппаратуры.
2309 Р.
Гаврилов С., Белов А. Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники. Учебное пособие. Второе издание
Книга посвящена научно-технологическим основам электрохимических процессов, применяемых в технологии микро- и наноструктур, которые интенсивно развиваются в последнее время. В пособии приведены краткие сведения о законах и положениях теории... . .
2094 Р.
Гаврилов С., Белов А. Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники. Учебное пособие. Второе издание
Книга посвящена научно-технологическим основам электрохимических процессов, применяемых в технологии микро- и наноструктур, которые интенсивно развиваются в последнее время. В пособии приведены краткие сведения о законах и положениях теории... . .
2094 Р.
Орликовский А. А., Валиев К. А., Кокин А. А. Труды ФТИАН. Том 20. Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика
Сборник, посвященный 20-летию Физико-технологического института РАН, включает в себя статьи по актуальным проблемам микро- и наноэлектроники, микро- и наноэлектромеханики и твердотельных квантовых компьютеров. Рассмотрены перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютеров на ионных ловушках в твердотельных структурах, проанализирован перенос электрона в одномерных многоямных структурах. Особое внимание уделено важнейшим вопросам физики и моделирования нанотранзисторов (кремниевые в ультратонком кремнии на изоляторе, туннельные, с графеновым каналом и др.). Исследованы межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны. Представлены статьи по моделированию электромиграционного разрушения тонкопленочных проводит ков, прочности границы соединенных материалов в зависимости от их микроструктуры и содержание точечных дефектов, моделированию каналов нейтрализации источников пучков быстрых нейтралов, дается обзор плазменных процессов в технологии МЭМС. Для специалистов в области микро- и наноэлектроники.
389 Р.
Никифоров Игорь Кронидович Электронная аппаратура. Основные материалы и технологии микро- и наноэлектроники
Рассматриваются материалы и технологии, наиболее широко применяемые в микро- и наноэлектронике, изготовлении микросхем, микромодулей и блоков электронной аппаратуры. Для студентов электротехнических и радиотехнических специальностей и специалистов, занимающихся разработкой радиоэлектронной и силовой электронной аппаратуры.
1530 Р.
Таперо Константин Иванович, Улимов Виктор Николаевич, Членов Александр Михайлович Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO 2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
744 Р.
Таперо К., Улимов В., Членов А. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiC>2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов. .
644 Р.
Таперо К., Улимов В., Членов А. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiC>2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов. .
644 Р.